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    Samsung y Micron nuevas memorias para competir con DDR4

    Las memorias DDR4 aún no nacen, especialmente porque su masificación aún no sucede, y mucho menos se ve en el horizonte un posible candidato claro para transformarlas en pan añejo. Samsung y Micron parece que quieren poner su propio formato de memorias con su nuevo consorcio Hybrid Memory Consortium, junto a Altera, Xilinx y Open Silicon.

    De nombre Hybrid Memory Cube, HMC, le van a poner difícil el paso en los próximos años a las memorias DDR3 en términos de rendimiento y consumo energético. Comparándolo directamente, sería 15 veces más rápido y un 70% menos consumidor, además de ocupar un 90% menos de espacio

    Primero pasarán por el mercado de servidores y alto rendimiento, donde podrían reemplazar 10 módulos DDR3 con uno de éstos, y posteriormente llegarán al mercado de los PCs normales. Las especificaciones iniciales serán publicadas el próximo año, y su producción en masa se espera que comience el 2015.

    Para ese entonces, HMC estará peléandose con DDR4, la próxima generación de memorias que muchas compañías están dispuestas a masificar entre el 2014 y 2015. En contraste con el actual DDR3, no existen canales, sino conexiones punto-a-punto del controlador de memoria con cada módulo instalado en el equipo.

    Suena bonito, suena bueno, pero está difícil para HMC transformarse en el sucesor de DDR3 si ha sido anunciado hace poco. Sí es posible que después de un exitoso paseo por el “mercado mayor” lleguen a los consumidores finales con, ojalá, buenos precios.

    Fuente: PCWorld

    Lisandro Raffinhttps://www.tecnogaming.com
    Persona normal, con un mínimo tolerante de adicción a los juegos y al hardware. Pudo lograr el sueño de cualquier gammer/entusiasta, hacer hobbie su trabajo
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